1. 本选题研究的目的及意义
近年来，硒化锡（SnSe）作为一种新型热电材料，因其优异的热电性能和环境友好性而备受关注。
SnSe的热电性能与其晶体结构和电子结构密切相关，而空位缺陷作为一种常见的晶体缺陷，对其电学和热学性质有着显著的影响。
因此，研究SnSe中空位缺陷的形成机制、类型及浓度，以及其对材料电子结构和热电性能的影响，对于深入理解SnSe的热电性质和优化其性能具有重要意义。
2. 本选题国内外研究状况综述
近年来，SnSe作为一种新型热电材料，其热电性能以及相关机理研究受到了国内外研究者的广泛关注。
国内外学者在SnSe的制备、性能表征、理论计算以及应用探索等方面取得了一系列重要进展，为本研究的开展奠定了坚实的基础。
1. 国内研究现状
3. 本选题研究的主要内容及写作提纲
本选题将围绕SnSe中空位缺陷展开深入研究，主要内容包括以下几个方面：
1.SnSe材料的制备及表征：利用熔融法或其他合适的制备方法制备高质量的SnSe样品，并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对其晶体结构和微观形貌进行表征。
2.空位缺陷的引入：通过控制SnSe材料的制备条件（例如，Se的比例、退火温度和时间等）或采用离子注入等技术，在SnSe材料中引入不同类型的空位缺陷。
3.正电子湮没谱测量：利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDB)等技术，测量不同空位缺陷浓度SnSe样品的正电子湮没谱，分析空位缺陷的类型和浓度。
4. 研究的方法与步骤
本研究将采用实验研究与理论计算相结合的方法，具体步骤如下：
1.SnSe材料的制备：采用熔融法制备SnSe多晶样品。
首先，将高纯度的Sn和Se粉末按照化学计量比称量并混合均匀，然后将混合物密封在石英管中，在真空条件下加热至熔融状态，保温一段时间后缓慢冷却至室温，得到SnSe多晶样品。
2.空位缺陷的引入：通过控制Se的比例以及退火温度和时间等制备条件，在SnSe材料中引入不同浓度的Sn或Se空位缺陷。
5. 研究的创新点
本研究的创新点在于：
1.首次利用正电子湮没技术系统研究SnSe中空位缺陷的类型、浓度及其对材料电子结构的影响，为深入理解SnSe的热电性能提供新的实验依据。
2.结合实验测量和理论计算，建立SnSe中空位缺陷与其电子结构之间的关联，揭示空位缺陷对SnSe热电性能的影响机制。
3.为通过缺陷工程调控SnSe的热电性能提供理论指导和实验依据，推动SnSe在热电转换领域的应用。
6. 计划与进度安排
第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。
第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲
第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文
7. 参考文献（20个中文5个英文）
1.方前锋,刘茜,许倩,等.基于第一性原理的SnSe热电性能研究[J].人工晶体学报,2021,50(10):1802-1808 1815.
2.李志鹏.SnSe基热电材料的缺陷调控及输运机理研究[D].武汉:武汉科技大学,2022.
3.陈光.SnSe基热电材料的缺陷化学及性能研究[D].长沙:中南大学,2020.
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